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    韩国研究职员乐成开发出量产量子点激光器的技能，这类激光器被广泛运用在数据中央及量子通讯范畴。这一冲破为将半导体激光器的出产成本降至今朝的六分之一摊平了门路。

该研究结果发表于《合金与化合物杂志》上。

电子及电信研究院（ETRI）公布，他们于韩国初次开发出使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）体系年夜范围出产量子点激光器的技能。

ETRI 光通讯元件研究部分已经于砷化镓（GaAs）基板上乐成开发出砷化铟/砷化镓（InAs/GaAs）量子点激光二极管，合用在光通讯中利用的 1.3 m 波长带。

传统上，量子点激光二极管是使用份子束外延（MBE）技能出产的，但这类要领因为生长速率慢而效率低下，使患上年夜范围出产面对挑战。经由过程使用出产效率更高的 MOCVD，研究团队年夜年夜提高了量子点激光器的出产效率。量子点激光器以其精彩的温度特征及对于基底缺陷的较强耐受性而著称，可实现更年夜的基底面积，从而降低功耗及出产成本。

新开发的量子点制造技能具备高密度及优良的匀称性。出产出的量子点半导体激光器可于高达 75 摄氏度的温度下持续事情，注解 MOCVD 技能取患了世界领先的结果。

之前，光通讯装备利用昂贵的 2 英寸磷化铟（InP）衬底，致使制造成本居高不下。新技能利用的砷化镓衬底的成本不到 InP 衬底的三分之一，估计可将通讯半导体激光器的制造成本降至六分之一如下。

该技能可以或许利用年夜面积衬底，是以可以或许显著削减工艺时间及质料成本。

研究小组规划进一步优化及验证这项技能，以提高其靠得住性，并将其让渡给海内光通讯公司。这些公司将经由过程 ETRI 的半导体代工场得到要害技能及基础举措措施撑持，从而加速贸易化进程。

估计开发时间及出产成本的降低将加强产物价格竞争力，并有可能提高国际市场份额。这一前进有望鞭策海内光通讯元件财产的成长。

于现代社会，光通讯是咱们的支柱财产。研究团队的这一结果将完全转变光源、公寓楼与年夜都会的毗连以和海底光缆的成长。

这项研究的介入者之1、忠北国立年夜学的 Dae Myung Geum 传授说："量子点的年夜范围出产技能可以年夜年夜降低高价光通讯装备的出产成本，提高国度光通讯元件财产的竞争力，并为基础科学研究做出巨年夜孝敬。

来自 ETRI 光通讯元件研究部分的 Ho Sung Kim 博士暗示："这项研究结果是确保贸易可行性及基础立异的最好典范，有可能转变光通讯半导体激光器行业的模式。"

转自：焊接之家

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